收藏本站
IXTN62N50L
1000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
1000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 90oC
R DS(on) Limit
100
25μs
100μs
100
25μs
100μs
1ms
10
10
1ms
10ms
10ms
DC
1
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
0.1
T J = 150oC
T C = 90oC
Single Pulse
DC
10
100
1,000
10
100
1,000
V DS - Volts
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_62N50L(9N) 11-04-11-B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTN90N25L2 MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227
IXTP02N50D MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220
IXTP05N100M MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
IXTP08N120P MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
IXTP100N04T2 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
IXTP10N60PM MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
IXTP12N50PM MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
IXTP130N065T2 MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
相关代理商/技术参数
IXTN79N20 功能描述:MOSFET 79 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN90P20P 功能描述:分立半导体模块 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
IXTP 3N100P 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
IXTP01N100 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage MOSFET
IXTP01N100D 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP02N120P 功能描述:MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube